Микросхема К198НТ4 представляет собой матрицу n-p-n-транзисторов. В составе содержит три интегральных элемента. Металлостеклянный корпус типа 401.14- 4 массой не более 0,8 г.; пластмассовый корпус типа 201.14-1 массой не более 1 г.
Назначение выводов микросхемы:
1 — эмиттер VT2; 2 — база VT2; 3 — коллектор VT2; 4, 5, 6, 10, 11 — свободные выводы; 7 — эмиттер VT3; 8 — база VT3; 9 — коллектор VT3; 12 — эмиттер VT1; 13 — база VT1; 14 — коллектор VT1
Электрические параметры
Напряжение насыщения база-эмиттер: ≤1 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: ≤0,7 В
Обратный ток коллектора: ≤40 нА
Статический коэффициент передачи тока
КР198НТ4А: 20…125
КР198НТ4Б: 60…250
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение коллектор-база: 20 В
Напряжение эмиттер-база: 5 В
Ток коллектора: 10 мА
Рассеиваемая мощность одним транзистором: 20 мВт
Температура окружающей среды: -45…+85°С
2,404 total views, 1 views today