Система обозначения советских полупроводников до 1964 года

У приборов, разработанных до 1964 г. и выпускающихся позже (плоскостные транзисторы — до 1973), условные обозначения состоят из двух или трех элементов.

П е р в ы й   элемент  обозначения — буква: Д — для диодов, П — для плоскостных транзисторов.

В т о р о й   элемент обозначения — число (номер), которое указывает на область применения.

Диоды:
Точечные германиевые от 1 до 100
Точечные кремниевые от 101 до 200
Плоскостные кремниевые от 201 до 300
Смесительные СВЧ детекторы от 401 до 500
Умножительные от 501 до 600
Видео детекторы от 601 до 700
Параметрические германиевые от 701 до 749
Параметрические кремниевые от 759 до 800
Стабилитроны от 801 до 900
Варикапы от 901 до 950
Туннельные диоды от 951 до 1000
Выпрямительные столбы от 1001 до 1100
 Транзисторы:
Маломощные германиевые низкочастотные от 1 до 100
Маломощные кремниевые низкочастотные от 101 до 200
Мощные германиевые низкочастотные от 201 до 300
Мощные кремниевые низкочастотные от 301 до 400
Маломощные германиевые высокочастотные от 401 до 500
Маломощные кремниевые высокочастотные от 501 до 600
Мощные германиевые высокочастотные от 601 до 700
Мощные кремниевые высокочастотные от 701 до 800

Т р е т и й   элемент обозначения — буква, указывающая разновидность прибора.

 145 total views,  1 views today

Поделиться

Об авторе

Редактор

Просмотреть все сообщения

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *